CdSe核辐射探测器中的MIS接触电极

• 作者: 何福庆 朱世富 赵北君 金应荣 陈松林
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CdSe探测器 漏电流 MIS接触电极
• 年，卷（期）: 2004,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1301-1305
• 页数: 5页
• 分类号: O485
• 字数: 2227字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.10.021

摘要

对MIS(金属-绝缘体-半导体)接触电极的特性进行了系统的分析和实验观察.结果表明,负极的电子可以通过表面能级和热激发注入到CdSe晶片中,且晶片表面的电子能级密度越高,电子注入就越快,探测器的漏电流也越大.对探测器进行适当的热处理,可以降低表面能级密度,从而抑制电子注入,降低探测器的漏电流,改善探测器的能量分辨率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱世富	四川大学材料科学系	151	840	14.0	20.0
2	金应荣	西华大学材料科学与工程系	59	141	5.0	7.0
4	赵北君	四川大学材料科学系	132	744	14.0	19.0
7	陈松林	四川大学材料科学系	7	37	3.0	6.0
8	何福庆	四川大学原子核科学技术研究所	4	4	1.0	1.0