新型图形化SOI LDMOS结构的性能分析

• 作者: 俞跃辉 宋朝瑞 杨文伟 沈达升 程新红
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 图形化SOI LDMOS 浮体效应 自加热效应
• 年，卷（期）: 2004,（12）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1580-1585
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 2783字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.12.007

摘要

提出一种图形化SOI LDMOSFET结构,埋氧层在器件沟道下方是断开的,只存在于源区和漏区.数值模拟结果表明,相对于无体连接的SOI器件,此结构的关态和开态击穿电压可分别提高57%和70%,跨导平滑,开态 I-V 曲线没有翘曲现象,器件温度低100K左右,同时此结构还具有低的泄漏电流和输出电容.沟道下方开硅窗口可明显抑制SOI器件的浮体效应和自加热效应.此结构具有提高SOI功率器件性能和稳定性的开发潜力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨文伟	中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束实验室	4	17	2.0	4.0
2	宋朝瑞	中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束实验室	13	48	5.0	6.0
3	俞跃辉	中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束实验室	20	55	5.0	6.0
4	程新红	中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束实验室	14	34	4.0	5.0