控制铅挥发制备钛酸锶铅半导体陶瓷

• 作者: 吴兴惠 李龙土 赵景畅
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 钛酸锶铅半导瓷 PTC效应 NTC效应 控制Pb挥发
• 年，卷（期）: 2004,（7）
• 所属期刊栏目: 敏感元器件
• 页码范围: 19-21
• 页数: 3页
• 分类号: TN373
• 字数: 2612字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2004.07.007

摘要

在Y掺杂的钛酸锶铅中,分别添加过量PbO、SiO2、ZrO2制备之半导体陶瓷样品,在居里点(约120℃)以上具有强的PTC效应,升阻比接近5个数量级.其中,SiO2或ZrO2增强了居里点以下的NTC效应,降阻比可达1个数量级;而少量PbO则降低了陶瓷的室温电阻率和NTC效应.通过热处理可以使热敏特性由PTC型向NTC-PTC复合型转变,表明NTC效应与铅含量变化密切相关,控制铅挥发能获得不同热敏特性的钛酸锶铅半导体陶瓷.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李龙土	清华大学材料科学与工程系	122	1435	22.0	31.0
2	吴兴惠	云南大学材料科学与工程系	86	1144	19.0	29.0
3	赵景畅	云南大学材料科学与工程系	10	260	7.0	10.0