硅正电阻温度系数热敏电阻器

• 作者: 冯中华 李金琢 蒋朝伦 陶明德
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 硅单晶热敏电阻器 正温度系数 迁移率
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 敏感元器件
• 页码范围: 32-34
• 页数: 3页
• 分类号: TN373
• 字数: 2110字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2004.05.011

摘要

为获得一种在常温下具有正温特性的热敏电阻,采用硅单晶材料,利用其迁移率随温度变化的规律设计并制成了硅正电阻温度系数热敏电阻器.测量表明,其电阻值随温度升高而增大.温度系数为(0.6%～0.8%)℃-1,在-50～+100℃温度范围内具有准线性.硅正电阻温度系数热敏电阻器特别适合于各种半导体器件和传感器的温度补偿.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋朝伦		4	36	3.0	4.0
2	陶明德		4	36	3.0	4.0
3	冯中华		2	20	2.0	2.0
4	李金琢		2	20	2.0	2.0