Si基片上掺Ge SiO2的火焰水解法制备

• 作者: 夏君磊 安俊明 李健 李建光 王红杰 胡雄伟 郜定山
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 火焰水解 SiO2 GeO2 折射率 光波导
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 674-677
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 1898字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.06.011

摘要

用火焰水解法在单晶Si片上沉积了掺Ge的SiO2(GeO2-SiO2)粉末,随后在高温炉中将此粉末烧结成玻璃.用光学显微镜观察了样品表面形貌,研究了不同的烧结工艺对样品形貌的影响.用X射线光电子能谱检测了样品的元素组成,并用棱镜耦合法测量了样品的折射率和厚度.结果表明,用适宜的工艺条件制备出的掺Ge的SiO2具有表面平整光滑,折射率和厚度可调等优点,适合用作Si基SiO2波导器件的芯层.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏君磊	中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心	11	27	3.0	4.0
2	安俊明	中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心	45	77	5.0	6.0
3	李建光	中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心	22	67	5.0	6.0
4	王红杰	中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心	32	93	6.0	7.0
5	李健	中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心	92	1070	17.0	31.0
6	郜定山	中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心	13	42	4.0	6.0