多晶硅薄膜的工艺研究

• 作者: 成建波 王军 祁康成
• 来源期刊: 材料热处理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅 薄膜 等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 退火
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 4-6
• 页数: 3页
• 分类号: TB383|TB43
• 字数: 1934字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-6264.2004.04.002

摘要

研究了制备性能优良非晶硅薄膜的工艺参数,对薄膜进行高温退火得到多晶硅薄膜.用X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)观察薄膜的结晶情况以及晶粒的大小.结果表明:退火温度越高,退火时间越长,得到多晶硅薄膜的比例越高,晶粒也相对较大;薄膜在(111)方向上优先结晶,晶粒大小可以达到1μm,与理论值做了比较.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	成建波	电子科技大学光电信息学院	53	414	11.0	16.0
2	祁康成	电子科技大学光电信息学院	65	340	10.0	14.0
3	王军	电子科技大学光电信息学院	115	936	14.0	26.0