铀与UO2表面铝薄膜生长行为的俄歇电子能谱分析

• 作者: 刘柯钊 周韦 杨江荣 肖红 蒋春丽 陆雷
• 来源期刊: 中国工程物理研究院科技年报
• 学科: 工学
• 关键词: 表面沉积 生长行为 铝薄膜 UO2 电子能谱分析 俄歇电子能谱仪 铀 原位分析
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 页码范围: 272-273
• 页数: 2页
• 分类号: TN204

摘要

主要利用俄歇电子能谱（AES）原位分析了室温下铀与UO2表面铝薄膜的生长行为。在俄歇电子能谱仪超高真空室中，利用Ar^＋枪溅射铝靶，使其沉积到铀基体上，然后利用电子枪适时采集表面俄歇电子能谱，原位分析铝薄膜的生长过程。在UO2表面沉积铝膜时，先往真空室中充入氧气，将清洁铀表面氧化成UO2，然后再溅射铝靶原位沉积制备铝薄膜。