一种基于物理的GaAs MESFET精确的饱和电流半经验模型

• 作者: 刘桂云 张义门 张玉明
• 来源期刊: 电子质量
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓场效应晶体管 饱和电流 物理模型
• 年，卷（期）: 2004,（12）
• 所属期刊栏目: IC工程
• 页码范围: 52-53
• 页数: 2页
• 分类号: TN43
• 字数: 1682字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-0107.2004.12.027

摘要

MESFET物理模型是电路模拟的基础,可以帮助设计者选择最佳的器件结构.本文提出一种改进的基于物理的GaAs MESFET饱和电流模型.由此可以精确计算GaAs MESFET的饱和电流.这将使基于物理的GaAsMESFET设计更符合实际情况.