砷化镓基半导体-氧化物绝缘衬底

• 作者: 周均铭 王文冲 贾海强 陈弘 黄绮
• 来源期刊: 科技开发动态
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓 衬底 半导体 绝缘 氧化物 实用新型专利
• 年，卷（期）: 2004,（11）
• 页码范围: 41
• 页数: 1页
• 分类号: TN304
• 语种: 中文

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周均铭	中国科学院物理研究所	29	95	6.0	8.0
2	黄绮	中国科学院物理研究所	26	106	7.0	9.0
3	陈弘	中国科学院物理研究所	18	99	5.0	9.0
4	贾海强	中国科学院物理研究所	9	31	4.0	5.0
5	王文冲	中国科学院物理研究所	4	0	0.0	0.0