Kovar封装CMOS器件X射线剂量增强效应研究

• 作者: 何宝平 罗尹虹 郭红霞 龚建成
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 工学
• 关键词: X射线 总剂量 剂量增强
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 页码范围: 846-848,845
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2555字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-0934.2005.06.074

摘要

在器件的金属化层及封装等结构中,高原子序数材料在低能X射线的辐照下,会在相邻的低原子序数材料中产生剂量增强效应,从而使得器件性能严重退化.主要介绍了柯伐封装的CMOS器件,在X射线和γ射线辐照下,其辐照敏感参数阈值电压和漏电流随总剂量的变化关系.并对实验结果进行了比较,得出低能X射线辐照对器件损伤程度大于γ射线,对剂量增强效应进行了有益的探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何宝平		46	291	9.0	13.0
2	罗尹虹		54	199	8.0	10.0
3	龚建成		27	110	6.0	8.0
4	郭红霞		81	385	10.0	13.0