高能电子束对抗蚀剂曝光的Monte Carlo模拟

• 作者: 孔祥东 宋会英 张玉林 魏强
• 来源期刊: 高能物理与核物理
• 学科: 物理学
• 关键词: 电子束光刻 Monte Carlo模拟 邻近效应 二次电子
• 年，卷（期）: 2005,（12）
• 所属期刊栏目: 同步辐射,自由电子激光,核技术应用等
• 页码范围: 1219-1224
• 页数: 6页
• 分类号: O57
• 字数: 5247字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-3052.2005.12.022

摘要

利用分段散射模型,借助Monte Carlo方法模拟了具有高斯分布特征的高能入射电子束(50keV≤E0≤100keV)在抗蚀剂中的散射过程,分别得到了不同曝光条件下的电子背散射系数和能量沉积分布,模拟结果与实验结果很好地符合.在这一能量段,当电子束能量越高、抗蚀剂越薄、基片材料的原子序数越低时,邻近效应越弱.本文的模拟结果不仅能为高能电子束光刻工艺优化曝光条件、降低邻近效应提供理论指导,而且能为进一步的邻近效应的校正提供更精确的数据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张玉林	山东大学控制学院电子束研究所	56	465	11.0	19.0
2	魏强	山东大学控制学院电子束研究所	14	155	7.0	12.0
3	宋会英	山东大学控制学院电子束研究所	7	134	6.0	7.0
4	孔祥东	山东大学控制学院电子束研究所	10	168	6.0	10.0