GaAs/Alx Ga1-x As超晶格扩展态电子能级结构的理论研究

• 作者: 李文兵 王福合 赵国忠
• 来源期刊: 首都师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: Kroning-Penney模型 扩展态 电子有级结构
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 页码范围: 21-24
• 页数: 4页
• 分类号: O472
• 字数: 2654字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-9398.2005.04.005

摘要

运用Kroning-Penney模型,研究了GaAs/AlxGa1-xAs超晶格扩展态(E＞V0)的电子能级结构和带宽随超晶格的阱宽、垒宽和A1组分的变化关系,以及扩展态能量随波矢k的变化关系.计算结果表明:影响光跃迁频率的最大因素是阱宽和A1的组分,随着阱宽的增加,光跃迁频率逐渐减小,随着A1组分的增加,光跃迁频率逐渐增大;影响带宽的较大因素是阱宽和垒宽,随着阱宽和垒宽的增大,带宽逐渐减小.这些将对实验和器件设计具有指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵国忠	首都师范大学物理系	50	751	16.0	26.0
2	王福合	首都师范大学物理系	33	118	6.0	9.0
3	李文兵	首都师范大学物理系	3	21	2.0	3.0