Fe/S/GaAs(100)界面形成研究

• 作者: 张笑言 祝传刚 祝传同
• 来源期刊: 青岛大学学报(工程技术版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 材料处理 薄膜 钝化
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 化工科技
• 页码范围: 26-28
• 页数: 3页
• 分类号: O472
• 字数: 2108字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-9798.2005.02.007

摘要

为了改善界面费米能级钉扎,运用CH3CSNH2/NH4OH对GaAs(100)表面进行钝化,并对界面的形成过程进行研究.结果表明,经高温退火处理后,S在GaAS(100)表面以Ga-S的形式存在,没有形成化合物;研究了Fe生长过程中的成键特性和电子态,Fe淀积到S/GaAs(100)表面,引起0.5 eV的能带弯曲,Fe与Ga、S发生较强的化学反应,而与As的反映被消弱.随着Fe覆盖度的增加,S原子停留在界面处,起到绝缘层的作用,而As和Ga则存在扩散和偏析现象,Fe在S/GaAs(100)表面以岛状形式生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	祝传刚	海军潜艇学院科研部	16	28	3.0	4.0
2	张笑言		1	0	0.0	0.0