一种用于硅基MEMS加工的深刻蚀技术

• 作者: M.van der Zwan P.M.Sarro 吴俊徐 王连卫 郭平生 陈瑜
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电化学刻蚀 DRIE 深沟槽 深孔 光子晶体
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 微机械加工技术
• 页码范围: 37-41
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 1925字
• 语种: 中文

摘要

研究了光辅助电化学刻蚀技术,并特别研究了阵列和硅衬底之间的边缘效应.在阵列边缘由于电流分布不均匀以及空穴从孔的侧壁注入,因此可以在边缘区域观察到结构的坍塌,采用一个周期性变化的信号来调制光照的强度,边缘效应会得到一定的抑制.同时,也观察到了硅的电化学深刻蚀工艺中大电流情况下的抛光现象(阳极氧化条件下,硅表面在氢氟酸溶液中快速均匀溶解不形成孔的现象).光学测试表明,制作的正方格子结构具有光子晶体行为,其光学禁带位于6 μm附近.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭平生	华东师范大学电子科学技术系纳米中心	5	68	5.0	5.0
2	王连卫	华东师范大学电子科学技术系纳米中心	16	71	5.0	8.0
3	陈瑜	华东师范大学电子科学技术系纳米中心	2	17	1.0	2.0
4	吴俊徐	华东师范大学电子科学技术系纳米中心	1	17	1.0	1.0