φ300mm内存制造的新芯片检查策略

• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 缺陷 检查 策略 φ300mm晶圆
• 年，卷（期）: 2005,（8）
• 所属期刊栏目: IC芯片测试
• 页码范围: 43-47
• 页数: 5页
• 分类号: TN307
• 语种: 中文

摘要

在晶圆制造的良率维持、缺陷的侦测与再检查,目前的检测方法,很难提供高侦测感度,与高取样率,全芯片扫描,快速产能,并维持低成本.传统的检测方法,分别以高感度的明视场检查,与高产能的暗视场检查,无法再满足缺陷检查需求,特别是在大量晶圆产出的环境.在此,由力晶半导体提出创新的缺陷检查策略,即整合明视野/暗视野检查机台,并最佳化,以使产出最大化,异常缺陷反应快速化等目标.