90nm存储器展现海量存储能力/CMOS RF开关可避免潜在的砷化镓问题

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篇名	90nm存储器展现海量存储能力/CMOS RF开关可避免潜在的砷化镓问题
来源期刊	电子设计技术	学科
关键词
年，卷（期）	2005,（1）	所属期刊栏目	技术前沿
研究方向		页码范围	17
页数	1页	分类号
字数	1043字	语种	中文
DOI