H2稀释度对HFCVD法沉积SiC薄膜结晶度的影响

• 作者: 宋航 王辉 缪国庆 蒋红 金亿鑫
• 来源期刊: 长春理工大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳化硅 H2稀释度 热丝CVD
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 页码范围: 90-92
• 页数: 3页
• 分类号: O46
• 字数: 1624字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-9870.2005.01.029

摘要

采用热丝化学气相沉积(HFCVD)技术,以甲烷(CH4)和硅烷(SiH4)作为源反应气体在Si(111)衬底上生长了晶态SiC薄膜.通过X射线衍射(XRD)、傅立叶红外(FTIR)等分析手段对样品结构、组分进行了分析.通过提高H2稀释度,使得SiC薄膜的质量得到了改善.选取高H2稀释度,利用原子氢在成膜过程中的刻蚀作用稳定结晶相,可在较低的衬底温度下,沿Si(102)择优取向异质生长出晶态SiC薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	金亿鑫	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室	12	54	5.0	6.0
2	蒋红	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室	13	45	4.0	5.0
3	宋航	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室	15	37	4.0	5.0