SiC薄膜的制备及其对气氛的响应研究

• 作者: 吴铁柱 张志勇 戴琨 王雪文 赵武 邓周虎
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 SiC薄膜 制备 气敏特性 气氛浓度
• 年，卷（期）: 2005,（9）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 36-38,41
• 页数: 4页
• 分类号: TP212|TQ127
• 字数: 3989字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2005.09.012

摘要

在CH4,H2,SiH4混合气体中用热丝化学气相沉积(HFCVD)法生长SiC薄膜.利用XRD、原子力显微镜(AFM)对SiC薄膜的表面形貌和晶体结构进行测试分析,结果表明,薄膜的确是SiC,其厚度为310 nm.对该薄膜在较高温度(250℃)下进行气敏特性测试,发现其对乙醇、乙醚有较好的敏感特性.进一步研究表明,不同的薄膜制备工艺条件对薄膜的气敏特性有一定的影响,其中H2流量,掺杂(N2)浓度对薄膜气敏特性影响较大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张志勇	西北大学电子科学系	98	759	13.0	22.0
3	邓周虎	西北大学电子科学系	39	330	9.0	16.0
4	王雪文	西北大学电子科学系	45	408	11.0	18.0
7	赵武	西北大学电子科学系	29	269	8.0	15.0
11	吴铁柱		3	15	3.0	3.0
12	戴琨	西北大学电子科学系	6	20	3.0	4.0