低压Ar气氛下用PS/OCS/Si (111)叠层热解制备单晶4H-SiC薄膜及层错缺陷抑制机理

• 作者: 何海平 李赟 王建文 王玉霞 邹优鸣 陈征
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 界面层错空洞 溶胶-凝胶 碳化硅
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 页码范围: 337-341
• 页数: 5页
• 分类号: O77
• 字数: 3204字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.030

摘要

在一定压力的Ar气氛中对Si (111) 衬底上的PS/OCS(硅的有机化合物)凝胶叠层进行热处理,制备出单晶4H-SiC薄膜.用XPS、XRD、TEM、TED和SEM研究了热处理温度和压力对薄膜结晶质量和晶型的影响.XPS分析显示薄膜中C/Si比为1.09.SEM分析表明薄膜的表面平整,SiC/Si(111)界面清晰、无层错缺陷形成.进一步讨论了层错缺陷形成及抑制的机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王玉霞	中国科学技术大学材料科学与工程系	18	138	5.0	11.0
2	陈征	中国科学技术大学材料科学与工程系	5	9	2.0	3.0
3	何海平	中国科学技术大学材料科学与工程系	4	96	3.0	4.0
4	李赟	中国科学技术大学材料科学与工程系	3	13	2.0	3.0
5	王建文	中国科学技术大学材料科学与工程系	1	0	0.0	0.0
6	邹优鸣	中国科学技术大学材料科学与工程系	1	0	0.0	0.0