喷雾热解法生长N掺杂ZnO薄膜机理分析

• 作者: 于伟东 张灿云 李效民 赵俊亮 边继明 高相东
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: p型ZnO薄膜 喷雾热解 掺杂 生长机理
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 959-964
• 页数: 6页
• 分类号: O482
• 字数: 3326字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2005.04.031

摘要

通过超声喷雾热解工艺,以醋酸锌和醋酸铵的混合水溶液为前驱溶液,在单晶Si(100)衬底上制备了N掺杂ZnO薄膜,采用热质联用分析(TG-DSC-MS)、X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)和霍耳效应(Hall-effect)测试等手段研究了喷雾热解工艺下N掺杂ZnO薄膜的生长机理、晶体结构和电学性能.结果表明,随衬底温度的不同,薄膜呈现出不同的生长机理,从而影响薄膜的晶体结构和电学性能.在优化的衬底温度下,实现了ZnO薄膜的p型掺杂,得到的p型ZnO薄膜具有优异的电学性能,载流子浓度为3.21×1018cm-3,霍耳迁移率为110cm2·V-1s-1,电阻率为1.76×10-2Ω·cm.