中子辐照诱导CCD电荷转移效率降低的数值模拟与分析

• 作者: 唐本奇 张勇 王祖军 肖志刚 黄绍艳
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: CCD 中子辐照 电荷转移效率 位移损伤效应 MEDICI数值模拟
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 所属期刊栏目: 器件
• 页码范围: 49-52
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.5
• 字数: 2568字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2005.z1.014

摘要

运用半导体器件二维数值模拟软件MEDICI,分别对能量为1 MeV和14 MeV的中子,在注量范围为3×1013～5×1014cm-2辐照下,对CCD器件电荷转移效率的变化规律进行数值模拟研究.建立了MEDICI软件模拟CCD电荷转移效率变化的器件物理模型、中子辐照模型,并对模拟结果进行了机理分析,得出中子辐照诱导CCD器件电荷转移效率降低的初步规律.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐本奇		32	248	9.0	13.0
2	王祖军		22	178	7.0	12.0
3	肖志刚		29	227	8.0	13.0
4	张勇		23	200	8.0	12.0
5	黄绍艳		27	220	8.0	13.0