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Identification of SEU Sensitive Region of CMOS SRAM Using Heavy Ion Microbeam
Identification of SEU Sensitive Region of CMOS SRAM Using Heavy Ion Microbeam
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摘要：
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基于 TDICE单元的SRAM 抗 SEU 加固设计
SRAM
单粒子翻转
DICE
读写分离
TDICE
CMOS APS用移位寄存器抗SEU加固方法
APS
移位寄存器
SEU加固
施密特触发器
采用0.18μm CMOS工艺的多端口SRAM设计
多端口
单位线
SRAM
电流模式
特征工艺尺寸对CMOS SRAM 抗单粒子翻转性能的影响
特征尺寸
临界电荷
LET阈值
单粒子翻转
CMOS SRAM
内容分析
关键词云
关键词热度
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(/年)
文献信息
| 篇名 | Identification of SEU Sensitive Region of CMOS SRAM Using Heavy Ion Microbeam | ||
| 来源期刊 | 中国原子能科学研究院年报：英文版 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | 静态随机存储器 重离子微束 单粒子翻转敏感区域 SEU成像技术 | ||
| 年，卷（期） | zgyznkxyjynbywb_2005,（1） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 93-94 | |
| 页数 | 2页 | 分类号 | TP333.8 |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | |||
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研究主题发展历程
节点文献
静态随机存储器
重离子微束
单粒子翻转敏感区域
SEU成像技术
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
中国原子能科学研究院年报：英文版
主办单位：
原子能出版社
出版周期：
年刊
ISSN：
CN：
开本：
出版地：
北京市海淀区阜成路43号
邮发代号：
创刊时间：
语种：
出版文献量（篇）
4071
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