GaN薄膜发光特性的研究

• 作者: 何秀坤 冯倩 周智慧 李静 汝琼娜
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 扫描电子显微镜 光荧光谱仪 生长气氛 缓冲层 掺杂
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 纳米材料与结构
• 页码范围: 224-226
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.23
• 字数: 1211字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2005.05.007

摘要

通过扫描电子显微镜和室温光荧光谱仪研究了生长气氛、缓冲层厚度、掺杂浓度不同对GaN薄膜发光特性的影响.实验证明,缓冲层可以较好地改善外延膜的结构和表面形貌.n型GaN薄膜的光荧光谱图显示,主峰的积分强度随着掺硅浓度的增高而增高,黄带峰的发光强度反而下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李静		19	32	3.0	5.0
2	冯倩	西安电子科技大学微电子研究所	35	224	7.0	13.0
3	何秀坤		7	9	2.0	3.0
4	周智慧		2	5	1.0	2.0
5	汝琼娜		1	4	1.0	1.0