空穴型Si/SiGe共振隧穿二极管及其直流参数提取

• 作者: 余志平 熊晨荣 王燕 陈培毅
• 来源期刊: 清华大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 共振隧穿二极管 SiGe 负微分电阻 曲线拟合
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 微电子学
• 页码范围: 133-136
• 页数: 4页
• 分类号: TN312.2
• 字数: 2918字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-0054.2005.01.035

摘要

共振隧穿二极管因其特有的负微分电阻特性,成为一种很有前途的基于能带工程的异质结构量子器件.采用超高真空外延技术,以p型重掺杂硅为衬底生长出以4 nm厚Si0.6Ge0.4层为空穴量子阱、以4 nm厚Si层为空穴势垒的双势垒单量子阱结构.然后用常规半导体器件工艺制成了空穴型共振隧穿二极管.在室温下对面积为8 μm×8 μm的共振隧穿二极管进行测量,其峰值电流密度为45.92 kA/cm2, 电流峰谷比为2.21. 根据测量得到的电流电压特性考虑串联电阻的影响,提取出共振隧穿二极管的直流参数.可以利用这些参数将共振隧穿二极管的直流模型加入SPICE电路模拟软件器中进行共振隧穿二极管电路设计.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈培毅	清华大学微电子学研究所	52	245	10.0	12.0
2	余志平	清华大学微电子学研究所	45	158	7.0	10.0
3	王燕	清华大学微电子学研究所	55	351	8.0	17.0
4	熊晨荣	清华大学微电子学研究所	3	7	1.0	2.0