用于高速电路的InP基共振隧穿二极管制作

• 作者: 张杨 曾一平 杨富华 王良臣 马龙 黄应龙
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 共振隧穿二极管 感应耦合等离子体 I-V特性 高频
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 959-962
• 页数: 4页
• 分类号: TN31
• 字数: 320字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.06.001

摘要

在InP衬底上采用感应耦合等离子体刻蚀技术制备了高性能的AlAs/In0.53Ga0.47As/InAs共振隧穿二极管.正向偏压下PVCR=7.57,Jp=39.08kA/cm2;反向偏压下PVCR=7.93,Jp=34.56kA/cm2.在未去除测试电极和引线等寄生参数影响下,面积为5μm×5μm的RTD的阻性截止频率为18.75GHz.最后对非对称的I-V特性进行了分析讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张杨	中国科学院半导体研究所新材料实验室	43	179	7.0	12.0
2	马龙	中国科学院半导体研究所半导体集成技术研究中心	50	495	14.0	21.0
3	王良臣	中国科学院半导体研究所半导体集成技术研究中心	31	192	8.0	13.0
4	杨富华	中国科学院半导体研究所半导体集成技术研究中心	49	227	9.0	14.0
8	黄应龙	中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室	3	4	1.0	2.0