纳米电子器件-高峰值峰谷电流比InP基共振隧穿二极管的实现

• 作者: 张杨 曾一平 朱战平 杨富华 王保强 王良臣 马龙
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 共振隧穿二极管 InP基 分子束外延
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 41-43
• 页数: 3页
• 分类号: TN31
• 字数: 697字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.009

摘要

利用分子束外延技术研制出InP基IhAs/In0.53Ga0.47As/AlAs共振隧穿二极管,其中势垒为10个单分子AlAs,势阱由8个单分子层In0.53Ga0.47As阱和4个单分子层InAs子阱组成.室温下峰值电流密度接近3kA/cm2,峰和谷的电流密度比率达到19.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾一平	中国科学院半导体研究所材料科学中心	85	439	11.0	16.0
2	张杨	中国科学院半导体研究所材料科学中心	43	179	7.0	12.0
3	马龙	中国科学院半导体研究所材料科学中心	50	495	14.0	21.0
4	王良臣	中国科学院半导体研究所材料科学中心	31	192	8.0	13.0
5	杨富华	中国科学院半导体研究所材料科学中心	49	227	9.0	14.0
6	王保强	中国科学院半导体研究所材料科学中心	3	12	1.0	3.0
7	朱战平	中国科学院半导体研究所材料科学中心	3	2	1.0	1.0