室温下高峰谷电流比、高峰电流密度的双势垒共振隧穿二极管

• 作者: 刘明 叶甜春 易里成荣 王从舜 谢常青
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 共振隧穿二极管 峰谷电流比 峰电流密度
• 年，卷（期）: 2005,（10）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1871-1874
• 页数: 4页
• 分类号: TN312.2
• 字数: 542字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.10.002

摘要

在半绝缘GaAs衬底上制作了AlAs/GaAs/In0.1Ga0.9As/GaAs/AlAs双势垒共振隧穿二极管.在GaAs层中加入In0.1Ga0.9As层用以降低势垒两边的势阱深度,从而提高了器件的峰谷电流比和峰电流密度.为了减小器件的接触电阻和电流的非均匀性,使用了独特形状的集电极,总的电流密度也因此提高.薄栅也有助于提高器件的PVCR和峰电流密度.在室温下测得其峰谷电流比高达13.98,峰电流密度大于89kA/cm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘明	中国科学院微电子研究所微加工与纳米技术实验室	207	1983	20.0	38.0
2	叶甜春	中国科学院微电子研究所微加工与纳米技术实验室	200	911	14.0	18.0
3	易里成荣	中国科学院微电子研究所微加工与纳米技术实验室	1	1	1.0	1.0
4	谢常青	中国科学院微电子研究所微加工与纳米技术实验室	50	258	9.0	12.0
5	王从舜	中国科学院微电子研究所微加工与纳米技术实验室	1	1	1.0	1.0