GaN p-i-n紫外探测器的研制

• 作者: 李雪 陈江峰
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 紫外探测器 氮化镓 刻蚀
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 491-493,498
• 页数: 4页
• 分类号: TN364.2
• 字数: 2136字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2005.06.006

摘要

研制了一种GaN p-i-n型单元器件,详细地讨论了该器件的制备工艺,并对该器件进行了光电性能测试.测试结果表明,器件的正向开启电压在2 V左右,零偏动态电阻R0约为1010～1011 Ω,最大峰值响应率在365 nm处为0.18～0.21 A/W,器件的上升响应时间和下降时间分别为2.8和13.4 ns.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李雪	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	64	465	12.0	19.0
2	陈江峰	上海交通大学微电子学院	64	1561	23.0	37.0