ICP刻蚀HgCdTe表面的微区XPS分析

• 作者: 叶振华 汤丁亮 王水菊 胡晓宁 郭靖
• 来源期刊: 激光与红外
• 学科: 工学
• 关键词: 刻蚀 HgCdTe 光电子光谱学 扫描电镜
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 碲镉汞红外器件
• 页码范围: 832-834
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.7|TN304.2+5
• 字数: 1819字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5078.2005.11.010

摘要

文章将ICP刻蚀技术应用于刻蚀HgCdTe,使用微区X射线光电子光谱学(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)等表面分析技术研究了ICP各工艺参数,包括ICP功率、气体成分与配比、腔体压力等对刻蚀表面形貌、刻蚀后表面成分、聚合物形成的影响.XPS分析结果发现,使用光刻胶作掩模时,刻蚀气体CH4会与光刻胶发生反应,生成物可能为C6H5(CH3).如果腔体压力较高,生成物不能及时被带走,就会附着在样品表面上,使样品表面发黑;当腔体压力较低时,生成物被及时带走,则样品表面光亮,无聚合物残留.光刻胶也会与H2发生反应,生成多种含C有机物.SiO2作掩模时,在一定的条件下,CH4会与SiO2或者真空硅脂发生反应,生成聚脂薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王水菊	厦门大学分析测试中心	21	199	9.0	13.0
2	汤丁亮	厦门大学分析测试中心	15	176	6.0	13.0
3	郭靖		1	4	1.0	1.0
4	叶振华		1	4	1.0	1.0
5	胡晓宁		1	4	1.0	1.0