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摘要:
文章将ICP刻蚀技术应用于刻蚀HgCdTe,使用微区X射线光电子光谱学(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)等表面分析技术研究了ICP各工艺参数,包括ICP功率、气体成分与配比、腔体压力等对刻蚀表面形貌、刻蚀后表面成分、聚合物形成的影响.XPS分析结果发现,使用光刻胶作掩模时,刻蚀气体CH4会与光刻胶发生反应,生成物可能为C6H5(CH3).如果腔体压力较高,生成物不能及时被带走,就会附着在样品表面上,使样品表面发黑;当腔体压力较低时,生成物被及时带走,则样品表面光亮,无聚合物残留.光刻胶也会与H2发生反应,生成多种含C有机物.SiO2作掩模时,在一定的条件下,CH4会与SiO2或者真空硅脂发生反应,生成聚脂薄膜.
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文献信息
篇名 ICP刻蚀HgCdTe表面的微区XPS分析
来源期刊 激光与红外 学科 工学
关键词 刻蚀 HgCdTe 光电子光谱学 扫描电镜
年,卷(期) 2005,(11) 所属期刊栏目 碲镉汞红外器件
研究方向 页码范围 832-834
页数 3页 分类号 TN305.7|TN304.2+5
字数 1819字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-5078.2005.11.010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王水菊 厦门大学分析测试中心 21 199 9.0 13.0
2 汤丁亮 厦门大学分析测试中心 15 176 6.0 13.0
3 郭靖 1 4 1.0 1.0
4 叶振华 1 4 1.0 1.0
5 胡晓宁 1 4 1.0 1.0
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2015(1)
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研究主题发展历程
节点文献
刻蚀
HgCdTe
光电子光谱学
扫描电镜
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
激光与红外
月刊
1001-5078
11-2436/TN
大16开
北京8511信箱《激光与红外》杂志社
2-312
1971
chi
出版文献量(篇)
5805
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16
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