一种MFIS类结构的阈值电压新模型及其C-V特性分析

• 作者: 夏立 林殷茵 汤庭鳌 陈园琦
• 来源期刊: 复旦学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体技术 不挥发存储器 金属-铁电层-介质层-半导体(MFIS) 阈值电压 C-V
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 页码范围: 105-110
• 页数: 6页
• 分类号: TN403
• 字数: 2446字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0427-7104.2005.01.022

摘要

采用物理和数学分析相结合的方法,构建了MFIS结构阈值电压的一种新的解析模型,对此解析模型的分析表明,铁电材料的介电常数越低,电滞回线的矩形度越好,MFIS结构的存储特性越好.由该模型进一步得到了MFIS结构的C-V曲线,对C-V曲线物理过程的分析表明,工作频率以及铁电电滞回线是否饱和对C-V特性有较大影响,而C-V曲线的窗口与MFIS结构存储特性密切相关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林殷茵	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	40	129	7.0	10.0
2	汤庭鳌	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	28	186	7.0	13.0
3	陈园琦	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	1	0	0.0	0.0
4	夏立	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	1	0	0.0	0.0