p型轻掺多孔硅的发光特性研究

• 作者: 周成瑶 李东升 杨德仁 阙端麟
• 来源期刊: 浙江大学学报（工学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 多孔硅 光致发光 傅立叶红外光谱
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 材料与化学工程
• 页码范围: 301-305
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.12
• 字数: 3015字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3785/j.issn.1008-973X.2005.02.028

摘要

采用阳极氧化法在p型轻掺硅片上制备多孔硅,研究了电解液配比、电流密度和反应时间对多孔硅发光性能的影响.实验研究发现多孔硅形貌随氢氟酸浓度而变化,电流密度、电化学腐蚀时间对多孔硅的发光均有影响.随着氢氟酸浓度和电流密度的增大,多孔硅的光致发光光谱强度先变大后减小;随反应时间的延长,多孔硅的光致发光光谱峰强度增强.氢氟酸浓度、电流密度和反应时间对傅立叶红外光谱中与Si-H、Si-H2键相关的振动峰具有明显影响,且与发光强度的变化相对应.结合多孔硅的成核理论、量子限制理论以及红外光谱中Si-H、Si-H2键红外振动峰的变化解释了上述现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	阙端麟	浙江大学硅材料国家重点实验室	72	612	13.0	20.0
3	周成瑶	浙江大学硅材料国家重点实验室	8	28	4.0	4.0
4	李东升	浙江大学硅材料国家重点实验室	36	130	6.0	10.0