硅基铁电微声学器件中薄膜残余应力的研究

• 作者: 任天令 刘理天 张宁欣 杨轶
• 来源期刊: 中国机械工程
• 关键词: 残余应力 基底曲率法 微声学器件 铁电
• 年，卷（期）: 2005,（14）
• 所属期刊栏目: 微纳米材料及其特性
• 页码范围: 1289-1291
• 页数: 3页
• 分类号: TB302.5|TB43
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-132X.2005.14.020

摘要

采用基底曲率法测量了硅基铁电微声学器件中各层薄膜的残余应力情况,通过调节热氧化的二氧化硅层的厚度,优化了微声学器件中复合膜的残余应力,得到平整的振膜结构,提高了器件的可靠性和成品率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘理天		230	1519	19.0	23.0
2	任天令		87	600	13.0	19.0
3	杨轶		7	29	4.0	5.0
4	张宁欣		3	12	3.0	3.0