超深亚微米下百万门级系统级芯片的物理设计方案

• 作者: 曾宏 曾璇 闵昊
• 来源期刊: 复旦学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 超深亚微米 系统级芯片 物理设计 设计收敛
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 页码范围: 26-29
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 字数: 3645字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0427-7104.2006.01.006

摘要

超深亚微米下SoC芯片的物理设计面临很多挑战性的难题,如果仅使用传统芯片设计流程,耗时长且难以达到设计收敛,必须探索新的设计方法学来加速设计进程.以一块0.18 μm工艺下200 万门的无线数据传输芯片为例,应对超深亚微米下新的设计挑战,论述了在布局规划、电压降、信号完整性、可制造性设计等方面的解决方案,提出了设计方法学上的改进,提高了后端设计的效率和质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闵昊	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	108	1103	18.0	27.0
2	曾璇	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	34	66	4.0	6.0
3	曾宏	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	2	10	1.0	2.0