激光在集成电路纳米超浅结形成中的应用综述

• 作者: 宋延民 张建民 王光伟 郑宏兴
• 来源期刊: 天津工程师范学院学报
• 学科: 工学
• 关键词: 激光退火 激光掺杂 集成电路 纳米尺度 超浅结
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 博士论坛
• 页码范围: 19-23
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.3|TN305.4|TN249
• 字数: 3648字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2095-0926.2006.03.005

摘要

综述了近年来激光在集成电路纳米超浅结形成中的应用.指出了现有的广泛用于集成电路结形成的离子注入加快热退火技术,不能适应纳米超浅源、漏结的制备及其原因,分析了激光的独特优点以及用于超浅结形成的可行性.纳米超浅结要求结深和杂质分布精确可控,结电阻要尽可能低.着重强调了激光能量密度、脉冲宽度、作用时间等工艺参数与结深、杂质布以及结电阻之间的密切关联.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑宏兴	天津工程师范学院电子工程系	32	122	6.0	9.0
2	王光伟	天津工程师范学院电子工程系	18	78	5.0	8.0
3	张建民	天津工程师范学院电子工程系	17	76	5.0	8.0
4	宋延民	天津工程师范学院电子工程系	11	34	4.0	5.0