基于局部基底弯曲法的高灵敏度薄膜应力测试技术

• 作者: 李志宏 栗大超 王莎莎 陈兢 黄玉波
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 微机械系统 内应力 纳米级薄膜 基底弯曲法 光学干涉测量
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1129-1135
• 页数: 7页
• 分类号: TN405
• 字数: 5142字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.06.036

摘要

针对MEMS(micro-electro-mechanical system)和NEMS(nano-electro-mechanical system)对薄膜应力测试的要求,开发了一种新型高灵敏度薄膜应力测试技术,使用自行搭建的准纳米光学干涉测试系统,利用局部基底弯曲来检测薄膜的内应力.该方法不仅保留了传统基底弯曲法的所有优点,而且消除了其系统误差.使用ANSYS对测试结构进行了模拟和优化,对于30nm厚的薄膜,应力检测的分辨率为1.5MPa,优于目前国际上的相关报道.本测试结构使用各向异性腐蚀和DRIE(deep reactive ion etching)完成,加工工艺简单实用.文中使用该测试技术对常用MEMS薄膜的残余应力进行了测量,结果与其他测试方法得到的结果基本一致,测量重复性优于1%.该技术可以用于测试纳米级薄膜及超低应力薄膜的内应力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	栗大超	天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室	89	722	14.0	20.0
2	黄玉波	天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室	6	60	4.0	6.0