内建电场对GaN/AlGaN单量子点发光性质的影响

• 作者: 危书义 吴花蕊 夏从新 赵旭
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN/AlGaN 量子点 内建电场 振子强度
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 139-144
• 页数: 6页
• 分类号: O472+.3
• 字数: 2889字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2006.02.009

摘要

在有效质量近似和变分原理的基础上,考虑量子点的三维约束效应,研究了GaN/AlGaN单量子点发光性质随量子点结构参数(量子点高度L和量子点半径R)的变化.结果表明:内建电场对GaN/AlGaN单量子点的发光波长和激子基态振子强度等发光性质有重要的影响;量子点高度的变化对量子点发光性质的影响要比量子点半径的变化对量子点发光性质的影响更明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	危书义	河南师范大学物理与信息工程学院	37	99	5.0	7.0
2	吴花蕊	河南师范大学物理与信息工程学院	6	24	3.0	4.0
3	夏从新	河南师范大学物理与信息工程学院	11	32	4.0	4.0
4	赵旭	河南师范大学物理与信息工程学院	9	32	3.0	5.0