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摘要:
首先回顾了原子层沉积(ALD)发展历史,介绍了ALD的基本工艺和ALD薄膜具有的优良特性,并与传统的薄膜制备工艺进行了对比研究.重点阐述了ALD在微电子技术、微电子机械系统以及光学工程中的几个应用研究现状.分析了ALD目前存在的问题,并对ALD未来的发展进行了展望.
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内容分析
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文献信息
篇名 原子层沉积技术及应用发展概况
来源期刊 真空科学与技术学报 学科 物理学
关键词 原子层沉积 自限制 化学气相沉积 物理气相沉积
年,卷(期) 2006,(z1) 所属期刊栏目 综述评论
研究方向 页码范围 146-153,158
页数 9页 分类号 O484.4
字数 6797字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-7126.2006.z1.036
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 黄光周 华南理工大学电子与信息学院 26 189 9.0 13.0
2 于继荣 华南理工大学电子与信息学院 16 84 5.0 8.0
3 刘雄英 华南理工大学电子与信息学院 33 354 11.0 18.0
4 范艺 华南理工大学电子与信息学院 5 71 4.0 5.0
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研究主题发展历程
节点文献
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自限制
化学气相沉积
物理气相沉积
研究起点
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期刊影响力
真空科学与技术学报
月刊
1672-7126
11-5177/TB
大16开
北京市朝阳区建国路93号万达广场9号楼614室
1981
chi
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19905
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