材料二次电子发射特性对表面充电过程影响的数值模拟研究

• 作者: 买胜利 李凯 王立 秦晓刚
• 来源期刊: 真空与低温
• 学科: 航空航天
• 关键词: 数值模拟 静电模型 PIC方法 表面充电 二次电子发射特性
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 87-90
• 页数: 4页
• 分类号: V250.2
• 字数: 2941字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-7086.2006.02.006

摘要

使用PIC方法,实现了地球同步轨道恶劣亚暴环境材料表面充电过程的数值模拟.从最大二次电子发射系数δm和δm对应的能量Em这2个方面,比较了不同二次电子发射特性下表面充电过程及最终平衡电位的异同.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李凯		6	61	4.0	6.0
2	王立	中国空间技术研究院研发部	33	337	10.0	17.0
3	秦晓刚		12	138	8.0	11.0
4	买胜利		2	12	2.0	2.0