RBR控制在超大规模集成电路制造的化学机械抛光工艺中的应用

• 作者: 康仁科 李秀娟 苏建修 郭东明 金洙吉
• 来源期刊: 金刚石与磨料磨具工程
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 RBR控制 过程控制
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与应用
• 页码范围: 61-64
• 页数: 4页
• 分类号: TG58
• 字数: 2626字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-852X.2006.02.018

摘要

本论文介绍了RBR过程控制技术在超大规模集成电路(ULSI)制造中的化学机械抛光(CMP)这一关键工艺中的应用.CMP工艺中的RBR控制是利用CMP工艺后检测获得的抛光质量数据来调整下一片硅片抛光的输入工艺参数的方法实现的.由于影响CMP过程的参数比较多,并且存在一些复杂的变化过程(如抛光垫老化、更换抛光垫等),使得其RBR控制是一个多目标、多输入、多输出的控制过程.本文结合CMP工艺分析了RBR控制,并以双指数权重调整方法为例描述了用于CMP的RBR控制算法,最后介绍了RBR控制在CMP工艺应用中的最新研究结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	康仁科	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	165	2562	24.0	44.0
2	郭东明	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	273	4547	35.0	54.0
3	金洙吉	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	105	1334	18.0	32.0
4	苏建修	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	13	523	10.0	13.0
5	李秀娟	知识产权学院华东政法学院	12	204	8.0	12.0