CVD SiC先驱体热分解过程的研究

• 作者: 张长瑞 李效东 李斌 胡海峰
• 来源期刊: 有机硅材料
• 学科: 工学
• 关键词: 化学气相沉积 碳化硅 热分解 先驱体 甲基三氯硅烷 2,4,6-三甲基-2,4,6-三硅杂庚烷
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 基础研究
• 页码范围: 183-187
• 页数: 5页
• 分类号: TQ163+.4
• 字数: 3419字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-4369.2006.04.004

摘要

介绍了各种化学气相沉积(CVD)碳化硅(SiC)先驱体的性质,比较了其沉积过程和沉积产物的差异,并利用HyperChem软件对2,4,6-三甲基-2,4,6-三硅杂庚烷(TMTSH)和甲基三氯硅烷(MTS)2种代表性先驱体的热分解过程进行了计算.结果表明:TMTSH结构中的Si-C键和Si-H键易断裂,分解为小分子自由基或者原子,能够在较低的温度下沉积得到SiC,且沉积速率和沉积效率较高,副产物随时间的变化而有所不同;MTS分子中的C-H键和Si-Cl键的键能都较大,反应所需的活化能较高,只有在较高的温度下才能沉积得到SiC,且沉积的速率和效率并不高.利用HyperChem进行理论计算的结果与实验结果一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张长瑞	国防科学技术大学航天与材料工程学院	30	357	10.0	18.0
2	李斌	国防科学技术大学航天与材料工程学院	13	68	4.0	7.0
3	李效东	国防科学技术大学航天与材料工程学院	16	59	5.0	6.0
4	胡海峰	国防科学技术大学航天与材料工程学院	11	126	5.0	11.0