新型结构的高性能CMOS带隙基准电压源

• 作者: 冯勇建 胡洪平
• 来源期刊: 厦门大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙 基准电压源 CMOS 启动电路
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 789-791
• 页数: 3页
• 分类号: TN432
• 字数: 1941字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0438-0479.2006.06.014

摘要

运用带隙基准的原理,采用0.5 μm的CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor)工艺,设计了一个新型结构的高性能CMOS带隙基准电压源.HSPICE仿真结果表明:电源电压VDD最低可达1.9 V,在温度-30～125℃范围内,电源电压VDD在1.9～5.5 V的条件下,输出基准电压VREF＝(1.225±0.001 5) V,温度系数为γTC＝14.75×10-6/℃,直流电源电压抑制比(PSRR)等于50 dB.在温度为25℃且电源电压为3 V的情况下功耗不到15 μW.整个带隙基准电压源具有良好的性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯勇建	厦门大学机电工程系	103	953	15.0	26.0
2	胡洪平	厦门大学机电工程系	6	78	4.0	6.0