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摘要:
设计了一种具有分段线性补偿的CMOS带隙基准电压源.该电路基于传统带隙基准源,利用MOS晶体管代替双极型晶体管产生正温度系数电流和负温度系数电流,将这两种具有相反温度系数的电流以适当的权重相加到负载电阻,并加入分段补偿电路,在低温阶段,加入一段负温度系数的电流,在高温阶段,抽取部分总电流,从而得到高精度的基准输出电压.在0.5 μm CMOS工艺下,使用Cadence Spectre对电路进行仿真,仿真结果表明,在供电电压为5 V 时,基准输出电压为1.255 V,在–40~125 ℃范围内,带隙基准源的温漂系数为1.029×10–6/℃,低频时的电源抑制比(PSRR)低于–75 dB.
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带隙基准
VBE线性化补偿
温度分段补偿
电源抑制
新型结构的高性能CMOS带隙基准电压源
带隙
基准电压源
CMOS
启动电路
一种高性能的低压CMOS带隙基准电压源的设计
带隙
基准电压源
低温度系数
高电源电压抑制比
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 高性能分段线性补偿CMOS带隙基准电压源设计
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 带隙基准 曲率补偿 温度系数 电源抑制比 高低温补偿 CMOS
年,卷(期) 2018,(3) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 73-77
页数 5页 分类号 TN43
字数 2484字 语种 中文
DOI 10.14106/j.cnki.1001-2028.2018.03.014
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 曾以成 湘潭大学微电子科学与工程系 116 670 13.0 19.0
2 夏俊雅 湘潭大学微电子科学与工程系 5 18 3.0 4.0
3 崔晶晶 湘潭大学微电子科学与工程系 5 18 3.0 4.0
4 邓庭 湘潭大学微电子科学与工程系 2 5 1.0 2.0
传播情况
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引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
带隙基准
曲率补偿
温度系数
电源抑制比
高低温补偿
CMOS
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
出版文献量(篇)
5158
总下载数(次)
16
总被引数(次)
31758
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