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高性能分段线性补偿CMOS带隙基准电压源设计
高性能分段线性补偿CMOS带隙基准电压源设计
作者:
夏俊雅
崔晶晶
曾以成
邓庭
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
带隙基准
曲率补偿
温度系数
电源抑制比
高低温补偿
CMOS
摘要:
设计了一种具有分段线性补偿的CMOS带隙基准电压源.该电路基于传统带隙基准源,利用MOS晶体管代替双极型晶体管产生正温度系数电流和负温度系数电流,将这两种具有相反温度系数的电流以适当的权重相加到负载电阻,并加入分段补偿电路,在低温阶段,加入一段负温度系数的电流,在高温阶段,抽取部分总电流,从而得到高精度的基准输出电压.在0.5 μm CMOS工艺下,使用Cadence Spectre对电路进行仿真,仿真结果表明,在供电电压为5 V 时,基准输出电压为1.255 V,在–40~125 ℃范围内,带隙基准源的温漂系数为1.029×10–6/℃,低频时的电源抑制比(PSRR)低于–75 dB.
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CMOS带隙基准电压源
高阶曲率补偿
低温度系数
低电源电压
低压CMOS带隙基准电压源设计
CMOS基准电压源
低功耗
Sub-1 V
高电源抑制比
一种CMOS带隙基准电压源设计
CMOS
带隙基准
低温度系数
电源抑制比
内容分析
文献信息
引文网络
相关学者/机构
相关基金
期刊文献
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数
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文献信息
篇名
高性能分段线性补偿CMOS带隙基准电压源设计
来源期刊
电子元件与材料
学科
工学
关键词
带隙基准
曲率补偿
温度系数
电源抑制比
高低温补偿
CMOS
年,卷(期)
2018,(3)
所属期刊栏目
研究与试制
研究方向
页码范围
73-77
页数
5页
分类号
TN43
字数
2484字
语种
中文
DOI
10.14106/j.cnki.1001-2028.2018.03.014
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
曾以成
湘潭大学微电子科学与工程系
116
670
13.0
19.0
2
夏俊雅
湘潭大学微电子科学与工程系
5
18
3.0
4.0
3
崔晶晶
湘潭大学微电子科学与工程系
5
18
3.0
4.0
4
邓庭
湘潭大学微电子科学与工程系
2
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参考文献(0)
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节点文献
带隙基准
曲率补偿
温度系数
电源抑制比
高低温补偿
CMOS
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元件与材料
主办单位:
中国电子学会
中国电子元件行业协会
国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-2028
CN:
51-1241/TN
开本:
大16开
出版地:
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
邮发代号:
62-36
创刊时间:
1982
语种:
chi
出版文献量(篇)
5158
总下载数(次)
16
总被引数(次)
31758
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