一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源

• 作者: 吴艳辉 张道礼 梁延彬 陈胜
• 来源期刊: 华中科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准 反馈 温度系数 电源抑制比 可修调电阻
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 页码范围: 106-108
• 页数: 3页
• 分类号: TN431.1
• 字数: 1717字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-4512.2007.11.030

摘要

基于CSMC 0.5 μm CMOS工艺,采用CMOS技术,设计一种高性能的带隙基准电压源.带隙基准电压源输出电压经过电平转换电路,反馈回带隙基准电压源中的运算放大器,可以获得良好的电源特性和带负载能力.采用可修调电阻阵列,精确地控制温度系数.仿真结果表明:在5 V电源电压下,温度系数为8.28×10-6/℃,低频电源抑制比为83 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈胜	华中科技大学电子科学与技术系	60	570	13.0	22.0
2	张道礼	华中科技大学电子科学与技术系	33	158	7.0	10.0
3	梁延彬	华中科技大学电子科学与技术系	2	12	2.0	2.0