一种高性能CMOS带隙基准电压源的设计

• 作者: 吴健学 王丽芳
• 来源期刊: 电讯技术
• 学科: 工学
• 关键词: 基准电压 带隙基准 温度系数 温度补偿 电源抑制比
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 131-134
• 页数: 4页
• 分类号: TN702
• 字数: 2873字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-893X.2005.05.033

摘要

本文提出了一种采用0.25 μm CMOS工艺的高性能的带隙基准参考源.该电路结构简单,性能较好.用模拟软件进行仿真,在tt模型下,其温度系数为9.6ppm/℃,电源抑制比(PSRR)为-56 dB,电压拉偏特性为384 ppm/V.而在其它模型下,也有较低的温度系数和较高的电源抑制比.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴健学		27	106	6.0	8.0
2	王丽芳		2	15	2.0	2.0