InxGa1-xN能带结构和Bowing参数的研究

• 作者: 任晓敏 任爱光 王琦 陈达峰 黄永清 黄辉
• 来源期刊: 光学与光电技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 光学材料 Bowing参数 Vegard定理 第一原理
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 16-18
• 页数: 3页
• 分类号: O471.5
• 字数: 2005字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-3392.2006.04.005

摘要

应用总能赝势方法和CASTEP程序对InxGa1-xN进行了模拟计算.利用第一原理密度泛函理论来探讨不含应力的闪锌矿化合物半导体InxGa1-xN在In的不同组分下的带隙值,并利用Vegard定理拟合出Bowing参数值为1.5728±0.14783 eV,认为其Bowing值应该在1.5 e V附近.可见InxGa1-xN材料有明显的Bowing现象,这一结果对于InxGa1-xN的异质外延有一定的理论指导作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄永清	北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室	196	987	13.0	18.0
2	任晓敏	北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室	189	942	13.0	18.0
3	黄辉	北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室	59	282	10.0	12.0
4	王琦	北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室	82	480	13.0	19.0
5	陈达峰	北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室	4	7	2.0	2.0
6	任爱光	北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室	4	13	3.0	3.0