Si基Cu/NiFe薄膜的生长及其粘附特性研究

• 作者: 吴一辉 张平 张涛 王淑荣
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: Si基 Cu/NiFe膜 粘附特性 剥离实验 残余应力
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 微纳制造
• 页码范围: 1444-1447
• 页数: 4页
• 分类号: TG1
• 字数: 2326字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2006.05.035

摘要

微机械(MEMS)工艺和集成电路(IC)工艺中,在硅(Si)片上电铸高深宽比坡莫(NiFe)合金材料常出现脱落现象.提出了一种电铸NiFe合金材料的新方法,这种方法制作的合金薄膜厚度达200 μm时不脱落.此方法即对等离子刻蚀后的硅片溅射种子层铜(Cu),然后对种子层进行电镀,当其厚度达到约15 μm时,再进行NiFe合金的电铸.本文用扫描电镜、x射线衍射仪和剥离实验研究了薄膜粘附特性.研究结果表明当对种子层电镀后,随着Cu种子层厚度的增加,Cu/NiFe薄膜与基体的粘附强度增加,而薄膜的残余应力降低;同时Cu膜表面粗糙度增加,也增加了NiFe膜与Cu膜的粘附强度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张平	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室	180	2022	23.0	35.0
2	王淑荣	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室	105	757	15.0	23.0
3	吴一辉	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室	126	1121	18.0	27.0