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摘要:
利用脉冲激光沉积(PLD)法在Si(111)衬底上分别生长了ZnO薄膜和Cu薄膜,用Cu薄膜作电极,研究了ZnO薄膜与Cu薄膜的接触特性.分别用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和IV测试的方法对样品的晶体质量、结构和电学性质进行了测试.结果表明:样品中ZnO薄膜和Cu薄膜均具有高度的择优取向;当Cu和ZnO直接接触时,样品的IV特性是非线性的;当Cu和ZnO之间通过ZnO∶Cu层间接接触时形成良好的欧姆接触,而且退火后欧姆接触性能明显提高,电阻率降低约2/3.本研究为价格低廉的Cu电极成为ZnO基器件的欧姆电极提供了一定的依据
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文献信息
篇名 MSM结构ZnO/Cu薄膜的接触特性
来源期刊 发光学报 学科 物理学
关键词 ZnO薄膜 Cu 电极 金属半导体金属结构 欧姆接触
年,卷(期) 2012,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 412-416
页数 分类号 O472.4|O484.1
字数 2548字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李清山 曲阜师范大学物理工程学院 57 249 9.0 12.0
2 张立春 曲阜师范大学物理工程学院 14 25 3.0 3.0
3 董艳锋 曲阜师范大学物理工程学院 18 55 4.0 6.0
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ZnO薄膜
Cu 电极
金属半导体金属结构
欧姆接触
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1000-7032
22-1116/O4
大16开
长春市东南湖大路16号
12-312
1970
chi
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