一种自偏置电流CMOS基准源的分析与设计

• 作者: 张超 杨永豪 罗萍
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 自偏置电流 带隙基准电压 PTAT基准电流 运算放大器 温度系数
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 技术论文
• 页码范围: 31-33
• 页数: 3页
• 分类号: TN7
• 字数: 1733字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2006.05.009

摘要

采用了一种结构新颖的CMOS基准源结构,该电路结构利用带隙基准结构产生的高精度PTAT电流作为内部OP AMP的自偏置电流,从而省去了PTAT电流产生电路,使芯片面积更小,基准电流更加接近理想的PTAT电流.该电路结构产生的带隙基准电压温漂达到18.8PPM/℃,PTAT电流几乎与电源电压无关.