射频磁控溅射SiO2薄膜的制备与性能研究

• 作者: 周继承 金桂
• 来源期刊: 武汉理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控射频反应溅射 电击穿场强 沉积速率 表面形貌
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 12-15
• 页数: 4页
• 分类号: TB43
• 字数: 3695字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-4431.2006.08.004

摘要

采用磁控射频反应溅射法在单晶硅片上制备了二氧化硅薄膜.研究了制备工艺对薄膜沉积速率、表面形貌、折射率和电击穿场强的影响.结果表明:薄膜的沉积速率随氧分压的增加先急剧减小,稍有增加后再缓慢减小,而随溅射功率的增加几乎呈线性增长;薄膜表面均匀,平均粗糙度分别为1.740 nm(100 W)和2.914 nm(300 W),有随溅射功率的增加而增加的趋势;薄膜的折射率随着溅射气氛中氧气含量的增加而增加,最后稳定于1.46不变;薄膜的电击穿场强随溅射功率的增加先缓慢增加,然后缓慢减小,通过800 ℃/100 s的快速热处理,薄膜的电击穿场强明显升高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周继承	中南大学物理科学与技术学院	96	780	15.0	21.0
2	金桂	中南大学物理科学与技术学院	1	26	1.0	1.0