Ge组分渐变的Si1-x-yGexCy薄膜的制备

• 作者: 张荣 施毅 李向阳 李志兵 王荣华 韩平 龚海梅
• 来源期刊: 材料研究学报
• 学科: 化学
• 关键词: 金属材料 Si1-x-yGexCy合金薄膜 化学气相淀积(CVD)
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 页码范围: 305-308
• 页数: 4页
• 分类号: O6
• 字数: 3486字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-3093.2006.03.018

摘要

用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上外延生长了Ge组分最高约0.40的组分渐变的Si1-x-yGexCy合金薄膜,研究了生长温度等工艺参数的影响.结果表明,生长温度和C2H4分压的提高均导致薄膜中碳组分的增加和合金薄膜晶格常数的减小,这表明外延薄膜中的C主要以替位式存在.C掺入量的变化可有效地调节薄膜的禁带宽度,而提高生长温度有助于改善Si1-x-yGexCy薄膜的的晶体质量.组分渐变的Si1-x-yGexCy合金薄膜包括由因衬底中Si原子扩散至表面与GeH4、C2H4反应而生成的Si1-x-yGexCy外延层和由Si1-x-yGexCy外延层中Ge原子向衬底方向扩散而形成的Si1-xGex层.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龚海梅	中国科学院上海技术物理所	69	451	10.0	18.0
2	李向阳	中国科学院上海技术物理所	110	438	10.0	14.0
3	施毅	南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室	103	490	13.0	17.0
4	韩平	南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室	22	92	6.0	9.0
5	李志兵	南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室	2	0	0.0	0.0
6	王荣华	南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室	3	1	1.0	1.0